RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Compara
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Puntuación global
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Puntuación global
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
54
En 30% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.5
10.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
8.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
En 1.51% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Informar de un error
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
54
Velocidad de lectura, GB/s
15.5
10.4
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
8.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2283
2226
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avant Technology F6451U66G1600G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link