RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Compara
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Puntuación global
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Puntuación global
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.5
14.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
9.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
En 1.33% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
38
En -3% menor latencia
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
37
Velocidad de lectura, GB/s
15.5
14.3
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
9.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2283
2422
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Mushkin 991586 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link