RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Compara
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Puntuación global
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Puntuación global
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.5
13.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
10.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
En 1.51% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
38
En -41% menor latencia
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
27
Velocidad de lectura, GB/s
15.5
13.8
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
10.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2283
2140
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link