RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Compara
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Puntuación global
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Puntuación global
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
En 1.33% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
38
En -58% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.7
15.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.1
12.0
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
24
Velocidad de lectura, GB/s
15.5
16.7
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
12.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2283
2904
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link