RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Compara
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB vs Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Puntuación global
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Puntuación global
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
38
En 26% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.4
9.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
En 1.13 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
38
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
14.0
Velocidad de escritura, GB/s
9.1
10.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
19200
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1989
2055
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology C 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link