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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Puntuación global
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
45
En -36% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.2
11.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.2
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
33
Velocidad de lectura, GB/s
11.9
16.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
12.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2077
3026
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
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