Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs AMD R7S44G2606U1S 4GB

Puntuación global
star star star star star
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Puntuación global
star star star star star
AMD R7S44G2606U1S 4GB

AMD R7S44G2606U1S 4GB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    20 left arrow 45
    En -125% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    18.9 left arrow 11.9
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    14.3 left arrow 8.1
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    21300 left arrow 12800
    En 1.66 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    45 left arrow 20
  • Velocidad de lectura, GB/s
    11.9 left arrow 18.9
  • Velocidad de escritura, GB/s
    8.1 left arrow 14.3
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • Descripción
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2077 left arrow 2707
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Últimas comparaciones