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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Puntuación global
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Puntuación global
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
41
45
En -10% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.5
11.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.7
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
41
Velocidad de lectura, GB/s
11.9
13.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
12.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2077
3114
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
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