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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
Compara
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
Puntuación global
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Puntuación global
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
45
En -25% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.5
11.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.4
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
36
Velocidad de lectura, GB/s
11.9
16.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
13.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2077
3013
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
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