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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
Puntuación global
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Puntuación global
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
45
En -41% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.6
11.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.9
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
32
Velocidad de lectura, GB/s
11.9
15.6
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
10.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2077
2822
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
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