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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
Puntuación global
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Puntuación global
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
45
En -80% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.1
11.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.3
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
25
Velocidad de lectura, GB/s
11.9
19.1
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
16.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2077
4052
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
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