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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Puntuación global
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
45
En -45% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.3
11.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.0
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
31
Velocidad de lectura, GB/s
11.9
14.3
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
10.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2077
2408
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
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