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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Compara
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Puntuación global
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
45
En -29% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.7
11.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.3
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
35
Velocidad de lectura, GB/s
11.9
16.7
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
12.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2077
2933
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
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Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
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A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
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