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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Puntuación global
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
40
45
En -13% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17
11.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.7
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
40
Velocidad de lectura, GB/s
11.9
17.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
13.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2077
3180
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR26N19D8/16 16GB
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SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
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Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
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Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
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