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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Puntuación global
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
45
En -41% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.5
11.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.8
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
32
Velocidad de lectura, GB/s
11.9
16.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
10.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2077
2739
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
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