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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Puntuación global
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
45
En -32% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.1
11.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.1
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
34
Velocidad de lectura, GB/s
11.9
16.1
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
13.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2077
3047
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
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