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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Puntuación global
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
45
En -32% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.1
11.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.1
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
34
Velocidad de lectura, GB/s
11.9
16.1
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
13.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2077
3047
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9965669-025.A00G 8GB
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