RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Compara
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Puntuación global
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
45
En -55% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.9
11.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.3
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
29
Velocidad de lectura, GB/s
11.9
17.9
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
15.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2077
3567
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link