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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Puntuación global
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
45
En -29% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.3
11.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
35
Velocidad de lectura, GB/s
11.9
15.3
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
12.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2077
3090
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
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