RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Compara
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Puntuación global
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
45
En -105% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.9
11.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.8
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
22
Velocidad de lectura, GB/s
11.9
17.9
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
13.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2077
3297
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
AMD AE34G1601U1 4GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link