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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Puntuación global
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
45
En -96% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
24.4
11.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
19.7
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
23
Velocidad de lectura, GB/s
11.9
24.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
19.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2077
4300
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Kingston KHX1600C10D3L/8G 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
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