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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Puntuación global
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Puntuación global
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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Razones a tener en cuenta
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
45
En -25% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.5
11.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.4
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
36
Velocidad de lectura, GB/s
11.9
18.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
15.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2077
3426
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
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