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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Compara
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Puntuación global
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
11.9
9.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.1
7.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
45
En -25% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
36
Velocidad de lectura, GB/s
11.9
9.1
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
7.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 13 15 18 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2077
2090
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
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Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
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