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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Kingston 9905624-019.A00G 8GB
Puntuación global
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Puntuación global
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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Razones a tener en cuenta
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
45
En -32% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.2
11.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.7
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
34
Velocidad de lectura, GB/s
11.9
14.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
9.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2077
2350
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK32GX4M4B3466C16 8GB
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