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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Kingston 9905625-062.A00G 8GB
Puntuación global
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Puntuación global
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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Razones a tener en cuenta
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
45
En -32% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.6
11.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.5
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
34
Velocidad de lectura, GB/s
11.9
15.6
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
11.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2077
2776
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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AMD AE34G1601U1 4GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
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