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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
Puntuación global
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Puntuación global
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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Razones a tener en cuenta
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
45
En -45% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.3
11.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.2
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
31
Velocidad de lectura, GB/s
11.9
15.3
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
9.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2077
2847
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK32GX4M2L3000C15 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
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