RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Compara
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Puntuación global
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
45
En -18% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.2
11.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.4
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
38
Velocidad de lectura, GB/s
11.9
15.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
11.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2077
2821
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link