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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Puntuación global
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Puntuación global
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
11.9
10.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.1
6.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
45
Velocidad de lectura, GB/s
11.9
10.7
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
6.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2077
2142
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
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G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C14 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
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