RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Compara
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Puntuación global
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Puntuación global
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.1
8.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
18
45
En -150% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.2
11.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
18
Velocidad de lectura, GB/s
11.9
17.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
8.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2077
2422
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link