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Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Compara
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB vs A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Puntuación global
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
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Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.9
7.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
46
En -48% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.6
12.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
31
Velocidad de lectura, GB/s
12.2
13.6
Velocidad de escritura, GB/s
7.9
7.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2072
2307
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
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Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
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