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Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
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Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB vs Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Puntuación global
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Puntuación global
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
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Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
18
46
En -156% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
21.1
12.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.9
7.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
18
Velocidad de lectura, GB/s
12.2
21.1
Velocidad de escritura, GB/s
7.9
16.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2072
3971
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
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Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
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