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Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
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Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Puntuación global
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
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Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
46
En -70% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18
12.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.2
7.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
27
Velocidad de lectura, GB/s
12.2
18.0
Velocidad de escritura, GB/s
7.9
13.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2072
2960
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
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SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
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A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
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