RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Compara
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Puntuación global
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Puntuación global
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
47
En -81% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.9
11.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
18.3
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
47
26
Velocidad de lectura, GB/s
11.8
20.9
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
18.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2061
4217
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link