RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Compara
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Puntuación global
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Puntuación global
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
47
En -81% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.4
11.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.3
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
47
26
Velocidad de lectura, GB/s
11.8
19.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
15.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2061
3783
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Corsair CMK32GX5M2A4800C40 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link