RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Compara
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Puntuación global
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
47
En -88% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.6
11.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.4
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
47
25
Velocidad de lectura, GB/s
11.8
15.6
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
13.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2061
2702
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link