RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Compara
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Puntuación global
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
47
En -68% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17
11.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.2
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
47
28
Velocidad de lectura, GB/s
11.8
17.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
14.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2061
3525
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link