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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Compara
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Puntuación global
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
47
En -68% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17
11.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.0
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
47
28
Velocidad de lectura, GB/s
11.8
17.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
13.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2061
3211
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
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