RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Compara
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Puntuación global
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
47
En -62% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.5
11.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.6
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
47
29
Velocidad de lectura, GB/s
11.8
18.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
14.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2061
3313
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link