RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Compara
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Puntuación global
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
47
En -81% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.1
11.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.9
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
47
26
Velocidad de lectura, GB/s
11.8
19.1
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
15.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2061
3876
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
ASint Technology SLA302G08-GGNNG 4GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link