RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Compara
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Puntuación global
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
47
En -47% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.6
11.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.0
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
47
32
Velocidad de lectura, GB/s
11.8
20.6
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
15.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2061
3593
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68E9W1600 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston K000MD44U 4GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link