RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Compara
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Puntuación global
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
47
En -57% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.2
11.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.2
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
47
30
Velocidad de lectura, GB/s
11.8
18.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
14.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2061
3389
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link