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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Puntuación global
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
47
En -68% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.9
11.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.6
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
47
28
Velocidad de lectura, GB/s
11.8
18.9
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
14.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2061
3504
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
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