RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Compara
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Puntuación global
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
20
47
En -135% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.1
11.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.7
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
47
20
Velocidad de lectura, GB/s
11.8
20.1
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
15.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2061
3726
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C8FE 2GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link