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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9905678-014.A00G 4GB
Compara
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Kingston 9905678-014.A00G 4GB
Puntuación global
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Puntuación global
Kingston 9905678-014.A00G 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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Razones a tener en cuenta
Kingston 9905678-014.A00G 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
47
En -52% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.5
11.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.7
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9905678-014.A00G 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
47
31
Velocidad de lectura, GB/s
11.8
16.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
12.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2061
2633
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Kingston 9905678-014.A00G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
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