RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Compara
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Puntuación global
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Puntuación global
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
47
En -34% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.1
11.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.6
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
47
35
Velocidad de lectura, GB/s
11.8
15.1
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
9.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2061
2502
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK32GX4M2C3000C16 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link