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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Compara
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Puntuación global
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Puntuación global
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.0
6.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
47
En -68% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.8
11.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
47
28
Velocidad de lectura, GB/s
11.8
14.8
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
6.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2061
2014
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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
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Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
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