RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Compara
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Puntuación global
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Puntuación global
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
47
En -47% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.4
11.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.2
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
47
32
Velocidad de lectura, GB/s
11.8
16.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
12.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2061
2871
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston 9905403-003.B00LF 4GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AFW0C 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
G Skill Intl F3-1600C10-8GSQ 8GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link