RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Compara
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Puntuación global
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Puntuación global
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
47
En -38% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.1
11.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.7
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
47
34
Velocidad de lectura, GB/s
11.8
19.1
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
13.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2061
3341
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378B5173CB0-CK0 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
InnoDisk Corporation 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Informar de un error
×
Bug description
Source link