RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Compara
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Puntuación global
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Puntuación global
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
47
En -34% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.6
11.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.1
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
47
35
Velocidad de lectura, GB/s
11.8
17.6
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
12.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2061
3221
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3000C15 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905734-003.A00G 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link