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Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Compara
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Puntuación global
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
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Razones a tener en cuenta
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
42
En -40% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.1
12
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.3
7.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
30
Velocidad de lectura, GB/s
12.0
20.1
Velocidad de escritura, GB/s
7.2
16.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1933
3796
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905625-096.A00G 16GB
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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Kingston ASU16D3LS1KFG/4G 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
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