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Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Compara
Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB vs Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB
Puntuación global
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
44
47
En 6% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15
11.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.7
7.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
47
Velocidad de lectura, GB/s
11.5
15.0
Velocidad de escritura, GB/s
7.7
10.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1927
2486
Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT25664BF160BJ.M4F 2GB
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Kingston KKRVFX-MIE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
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